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EMI抑制新方案:貼片Y電容在電源模塊中的實戰(zhàn)應(yīng)用

文章出處:行業(yè)新聞 網(wǎng)責任編輯: 東莞市平尚電子科技有限公司 閱讀量: 發(fā)表時間:2025-02-20 10:25:30

EMI抑制新方案:貼片Y電容在電源模塊中的實戰(zhàn)應(yīng)用


——東莞市平尚電子科技有限公司技術(shù)創(chuàng)新與場景化解決方案


隨著電源模塊向高頻化、高密度化發(fā)展,電磁干擾(EMI)問題成為制約設(shè)備性能與合規(guī)認證的核心瓶頸。貼片Y電容(安全認證型陶瓷電容)憑借小體積、高耐壓、低漏電流等特性,正逐步替代傳統(tǒng)插件Y電容,成為EMI抑制的關(guān)鍵元件。東莞市平尚電子科技有限公司(以下簡稱“平尚科技”)針對電源模塊的共模噪聲抑制需求,推出全系列貼片Y電容產(chǎn)品及定制化解決方案,助力企業(yè)通過CISPR 32、EN 55032等EMI標準認證。本文從技術(shù)原理、實戰(zhàn)案例、選型指南三大維度,解析平尚科技的創(chuàng)新實踐。


平尚科技文章lgo


一、電源模塊EMI抑制痛點與貼片Y電容優(yōu)勢


1. EMI抑制的核心挑戰(zhàn)


高頻噪聲加?。?/span>

  • GaN/SiC器件開關(guān)頻率達MHz級,共模噪聲頻譜擴展至300MHz以上,傳統(tǒng)插件Y電容寄生電感高(>5nH),抑制效果銳減。


空間限制:

  • 超薄電源模塊(如USB PD快充)要求Y電容高度≤1.2mm,插件電容無法滿足。


安全認證門檻:

  • Y電容需通過UL/CUL、ENEC等安規(guī)認證,耐壓≥250VAC且漏電流<0.1mA。


2. 平尚科技貼片Y電容核心優(yōu)勢


  • 超薄封裝:最小封裝1206(3.2×1.6mm),厚度0.8mm,適配高密度設(shè)計;

  • 高耐壓性能:250VAC/4000VDC耐壓,通過IEC 60384-14認證;

  • 低寄生參數(shù):ESR<10mΩ,寄生電感<1nH,高頻抑制能力提升50%。


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二、平尚科技貼片Y電容技術(shù)突破


1. 材料創(chuàng)新:高介電強度介質(zhì)

鈦酸鍶鋇基材(BST):

介電強度>15kV/mm(普通Y電容<10kV/mm),容值密度提升30%;

抗還原改性工藝:

添加納米氧化鋁顆粒,抑制高溫高濕環(huán)境下的介質(zhì)離子遷移,漏電流<0.05mA(行業(yè)平均0.1mA)。


2. 結(jié)構(gòu)設(shè)計:低寄生電感封裝

四端電極設(shè)計:

電流路徑對稱化,降低等效串聯(lián)電感(ESL)至0.5nH;

內(nèi)埋式引線框架:

電極引線嵌入陶瓷基體,減少高頻電流環(huán)路面積,輻射噪聲降低3dBμV。


3. 工藝升級:全自動精密制造

多層共燒技術(shù)(MLCC):

單顆電容內(nèi)集成6層介質(zhì),容值范圍擴展至100pF~4.7nF;

真空濺射鍍層:

端電極鎳屏障層厚度精度±0.1μm,耐硫化性能提升60%。

案例:平尚科技為某服務(wù)器電源廠商定制的2220封裝2.2nF Y1電容(型號PL-Y1C222K),在100MHz頻點插入損耗達-40dB,成功替代Vishay VY2系列,模塊厚度壓縮15%。


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三、貼片Y電容在電源模塊中的實戰(zhàn)應(yīng)用


場景1:AC/DC電源輸入級共模濾波


拓撲結(jié)構(gòu):

Y電容跨接在初級地與次級地之間,與共模電感構(gòu)成π型濾波器;


平尚方案:

推薦PL-Y2系列(250VAC/2.2nF),搭配平尚科技鐵氧體磁環(huán)(μi>5000),150kHz~30MHz頻段噪聲衰減>30dB。



場景2:DC/DC模塊高頻開關(guān)噪聲抑制


痛點:

GaN FET開關(guān)瞬態(tài)dV/dt>100V/ns,引發(fā)電磁輻射超標;


平尚方案:

在開關(guān)管DS極并聯(lián)PL-Y1系列(500VDC/1nF),搭配RC吸收電路,EMI峰值降低6dBμV。



場景3:多路輸出電源地線隔離


需求:

多路次級地需通過Y電容連接至初級地,且耐壓≥1500VDC;


平尚方案:

采用PL-Y3系列(3000VDC/470pF),容值誤差±5%,滿足醫(yī)療電源BF型設(shè)備要求。


貼片電容文章


四、平尚科技EMI全場景解決方案


選型支持:

  • 提供《EMI抑制設(shè)計手冊》,含Y電容-電感參數(shù)匹配表;

  • 免費EMI仿真模型(支持LTspice、PSpice)。


測試驗證:

  • 10米法電波暗室實測數(shù)據(jù)(30MHz~1GHz全頻段掃描);

  • 高低溫循環(huán)(-40℃~+125℃)后容漂移<±5%。


認證保障:

  • 全系列通過UL 60384-14、ENEC 60335認證;

  • 支持客戶定制安規(guī)證書(如TUV、CQC)。



貼片Y電容的高頻抑制能力與小型化特性,正成為電源模塊EMI合規(guī)設(shè)計的核心突破口。平尚科技通過高壓介質(zhì)材料研發(fā)、低寄生電感封裝、全自動精密制造,已為華為、臺達、航嘉等企業(yè)提供高性價比解決方案。未來,隨著800V高壓平臺與第三代半導體普及,平尚科技將持續(xù)迭代Y電容技術(shù),助力客戶攻克更嚴苛的EMI挑戰(zhàn)。如需獲取免費樣品或定制方案,請聯(lián)系平尚科技技術(shù)支持團隊。


聲明:本文數(shù)據(jù)源自平尚科技實驗室測試報告、行業(yè)認證及客戶應(yīng)用反饋,內(nèi)容聚焦EMI抑制熱點與本土化技術(shù)能力,為工程師提供實戰(zhàn)參考。

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