半導體元器件失效原因有不少,除了使用不當之外,浪涌和靜電擊穿等都是導致半導體器件的壽命縮短的原因。隨著電子技術的不斷更新,對電子設備所用的元器件的品質要求越高,半導體器件廣泛使用,壽命經過性能退化最后導致失效。
導致元器件失效退化有以下幾個方面:
1.設計
都知道半導體器件會隨著時間的推移逐漸老化,但對于導致元器件失效的因素卻不知道。
很多的芯片設計通常會采取冗余方式,以確保滿足可靠壽命工作要求。
運算放大器必須正確偏置,并且必須在過驅動電壓中留有一些余量。然后你必須確保留下足夠的余量,這樣隨著時間的推移,運算放大器的老化將保持在晶體管的飽和區域內。
老化及可靠性是設計師需要重點考慮的。要確保滿足市場所有老化和可靠性的要求。
2.制造
半導體器件的制造涉及到測量僅幾納米的結構。對于成熟的工藝節點,產率可能在80%到90%之間。然而,對于較新的節點,產率可能大大低于50%,制造步驟不完善,哪怕環節的工藝變化也會產生明顯差異。
隨著設計逐漸演變成采用先進封裝的深亞微米技術,現有的仿真工具和設計方法無法很好地反映變化及其對可靠性的影響。這會導致設計流程出現漏洞。
3.ESD保護
在運行期間,ESD事件也可能導致問題。在便攜式電子產品中,ESD可以導致許多類型的軟錯誤。
在ESD事件期間,電源供電網絡(PDN)上可能會引起噪聲。
4.磁場
“ 電感在磁場中儲存能量來發揮其功能。但是,電感除受自身產生的電磁能量影響外,也受外部磁通量影響。保證元器件的電感值指的是無外部磁通量狀態下的值。因此,在存在外部磁通量的情況下封裝電感時,將可能無法發揮其應有的功效。”
5.開關電源
開關電源市場競爭日趨激烈,功率越高也隨之造成了電子元器件的發熱,而發熱帶來的問題不僅僅是手機在口袋里變熱。它會導致晶體管和它們之間的連接退化,這也直接影響半導體元器件的性能和可靠性。
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